ギ酸リフロー
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パワー半導体チップの高品質な半田接合や焼結材(シンタリング材)接合での搭載受託を少量から短納期で承っております。焼結材(シンタリング材)などの接合材の実験評価も承っております。ダイボンディング後の接合強度試験(ダイシェア試験)、X線やSATを用いた非破壊での接合状態の確認評価にも対応しております。
サービス特徴ギ酸リフロー
- 真空ギ酸リフローを用いた半田やシンタリング材接合にも対応いたします。
- シーマオリジナル加圧接合装置を使い、真空下での加熱加圧接合も対応可能です。
- 真空ギ酸リフローを用いた高品質な半田や焼結材(シンタリング材)接合に対応いたします。
- ギ酸雰囲気中の処理で良好な接合材の濡れ性確保、また接合材内のボイド(気泡)を除去、低減します。
- 少量からのダイボンディング(ダイアタッチ)から開発材料の実装評価も承ります。
- シーマオリジナル加圧接合装置を用いて、真空下での加熱加圧接合も対応可能です。
サービスの強みギ酸リフロー
- ベアSiやMOSFET、GaN、ダイオードなど各種ICチップ搭載に対応
- 各種接合材(絶縁樹脂系接着剤、Agペースト、ダイアタッチフィルム等)を用いたダイアタッチが可能
- 必要な治具の設計・製作も対応
- MOSFET、IGBT、ダイオード、GaN等パワー半導体搭載に対応
- 必要な治具設計・製作も対応
- 実作業時の立会いも可能です
ご依頼例ギ酸リフロー
- パワー半導体チップの半田接合や焼結材(シンタリング材)接合
- フラックスレス半田バンプのフリップチップ実装
- DBC基板へのパワー半導体チップの半田接合
- ベースプレートへの半田接合
- 焼結材(シンタリング材)の開発材料評価
- パワー半導体向け放熱基板への実装評価
- 焼結材塗布後のギ酸還元処理
- 真空加圧条件での焼結材(シンタリング材)接合(新規装置開発中)
ギ酸リフローとは
パワー半導体チップ接合やフラックスレス半田バンプのフリップチップ実装に最適なギ酸還元リフローを使用したダイボンディング(ダイアタッチ)工程となります。酸化膜除去やボイドレスを狙った半田接合、焼結材(シンタリング材)接合に対応。接合材には板半田、ナノ銀ペースト、銅ナノペースト等の実績があります。真空や窒素雰囲気の対応もお任せ下さい。加圧が必要な焼結材(シンタリング材)接合にも対応しております。※現在、加圧シンタリング接合装置を開発製作中です。
ギ酸を使用し、酸化膜除去を行ったり、半田溶融時に減圧する事により半田内ボイドの低減が可能。 フラックスレスの為、リフロー後の洗浄工程不要。
- ワークサイズ:300x300x85mmH
- 加熱温度:最大500℃
- 対応ガス:ギ酸、窒素
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ギ酸リフロー -
半田接合評価:X線観察画像 -
ギ酸リフロー 作業の様子
加圧リフロー
加圧が必要なシンタリング材(焼結材)接合にも対応しております。
真空下にて加熱および加圧が可能。
- シーマオリジナル加圧接合装置
- ヒーター:上下4本 合計800W、コントローラー2ch
- 加圧:プレスジャッキMax2t※圧力計Max100Mpa
よくある質問
- ギ酸雰囲気の効果は?
- 酸化膜除去を行ったり、フラックスレスの半田が使用可能となり半田内ボイドの低減が可能。 また、リフロー後の洗浄工程不要。
- ギ酸リフローでの接合ではどの様な材料実績があるか?
- 板半田、Agナノペースト、Cuナノペースト、金錫半田等
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