シーマ電子株式会社|静特性測定

• 最大ピーク電圧：3kV
• 最大ピーク電流：1kA
• 測定データ/条件ファイルが保存可能なUSBポート内蔵
• 高電圧、大電流のパワーデバイスの評価が可能

• ダイオードの順方向電圧、逆方向リーク電流、逆方向ブレークダウン電圧（写真1参照）
• ダイオードやトランジスタ、MOSFET、IGBTの特性評価（写真2参照）[ゲート印加電圧毎のI-V特性評価等]
• ダイオードやトランジスタ、 MOSFET、 IGBT及びIC/LSIの故障解析
• トランジスタのVTHやｈFEの測定
• MOSFET、IGBTのゲートリーク評価

• 対象デバイス：トランジスタ、MOSFET、IGBT、ダイオード、サイリスタ
• 印加範囲：電圧最大2kV、電流200A
• 測定時間：10μsec〜999msec(10A以上は最大1msec)
• 測定チャンネル：3チャンネル(MOSFET:ch1chソース 2chゲート 3chドレイン)
• 測定環境：常温〜200℃

測定項目IR(遮断電流)

• 印加1.00V〜2.00kV
• 測定0.000nA〜99.99mA

測定項目VR(降伏電圧)

• 印加1.00μA〜99.9mA
• 測定0.00V〜2.00kV

測定項目VF(順方向電圧)

• 印加1.00μA〜200A
• 測定0.0mV〜20.00V

測定項目IDSS(遮断電流)

• 印加1.00V〜2.00kV
• 測定0.000nA〜99.99mA

測定項目IGSS(遮断電流)

• 印加1.00V〜50.0V
• 測定0.000nA〜99.99mA

測定項目VDSS(降伏電圧)

• 印加1.00μA〜99.9mA
• 測定0.00V〜2.000kV

測定項目VFDS(順方向電圧)

• 印加1.00μA〜200A
• 測定0.0mV〜20.00V

測定項目VTH(しきい値)

• 印加 1.00μA〜200A、 1.00V〜30.0V
• 測定 0.0mV〜20.0V

測定項目VDSON(ドレイン-ソース電圧)

• 印加 1.00μA〜200A、 0.00V〜50.0V
• 測定 0.0mV〜20.0V

試験費用を教えてください。

試験条件により異なる為、都度見積とさせて頂いております。問合せフォームより試験条件、測定数量をご連絡ください。

測定可能なデバイスを教えて下さい。

IGBT、MOSFET、ダイオードの測定が可能です。

チップ単体の測定は可能ですか？

はい。可能です。最適な治具設計を行い実施する事が可能です。お気軽にご相談ください。